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基于液相剥离硒化铟的高灵敏度光电探测器

DOI:10.1002/adfm.201908427 期刊:Advanced Functional Materials 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: IIIA-VIA族层状半导体因其原子级薄的结构以及厚度依赖的光电特性(这些特性可实现超快响应和高灵敏度)在(光)电应用中备受关注。特别是二维硒化铟(InSe)凭借其高本征迁移率(>102 cm2 V?1 s?1)及适合可见光与近红外光探测的能带直接跃迁特性,已成为实现薄膜场效应晶体管和光电晶体管的有力候选材料。大规模(光)电应用开发的关键在于低成本、适合工业化生产的二维材料制备工艺(如液相剥离法)与高通量器件制造技术的结合。本研究通过异丙醇剥离β相硒化铟(β-InSe),并制备出基于喷墨涂布InSe的光电探测器,在可见光范围内展现出高响应度(蓝光455 nm激发下最大值达274 A W?1)和快速响应时间(15毫秒)。器件呈现栅压调控的n沟道晶体管导电特性。该研究表明液相剥离β-InSe是印刷高性能光电探测器的有效材料,这对发展工业化规模的二维材料光电器件至关重要。
作者: Nicola Curreli,Michele Serri,Davide Spirito,Emanuele Lago,Elisa Petroni,Beatriz Martín-García,Antonio Politano,Bekir Gürbulak,Songül Duman,Roman Krahne,Vittorio Pellegrini,Francesco Bonaccorso
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研究概述 实验方案 设备清单

展示液相剥离β-InSe在具有高响应度和快速响应时间的印刷光电探测器中的应用。

该研究成功证明,喷涂法制备的液相剥离β-InSe光电探测器对可见光和近红外光具有高光电响应度及快速响应特性。采用环保溶剂与可扩展的制备方法,使β-InSe成为工业级光电子应用领域极具前景的材料。

该研究强调了液相剥离β-InSe在光电探测器中的潜力,但指出需要针对不同应用需求进一步优化材料与器件设计。目前尚未深入探究器件在不同条件下的可扩展性与环境稳定性。

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