研究目的
研究交换关联势对InPS4电子结构的影响，并探讨其光学、热电及弹性性质。
研究成果
mBJ+U方法为InPS4提供了最可靠的电子结构，与实验数据高度吻合。InPS4展现出独特的光学、热电和弹性特性，使其成为光电子应用领域极具前景的材料。
研究不足
该研究的局限性包括高精度方法（如GW技术）所需的计算成本和时间，以及LDA和GGA方法可能低估带隙的问题。
DFT方法对InPS?电子结构及K吸收光谱的影响：光学、热电及弹性性质的详细研究
DOI：10.1088/2053-1591/ab4164
期刊：Materials Research Express
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
通过采用GGA、GGA+U、mBJ和mBJ+U势函数在Kohn-Sham框架下研究了交换关联势对InPS4电子结构的影响。全势APW+lo方法中使用mBJ+U能获得可靠的K吸收谱，其包含几乎全部强度正确的实验峰位。1e w^( )与1e w?( )在0 eV、4 eV、6 eV和9.5 eV处出现显著差异，表明InPS4在这些能级具有强各向异性光学特性。在4 eV处，InPS4的光学吸收在至少4-20 eV宽能范围内具有10^5 cm?1量级的高阶数值。优值系数ZT最高达到约0.8-1。当化学势μ介于0 eV至约1.6 eV时InPS4为p型半导体，而μ约1.6-2.7 eV时则为n型半导体。泊松比等于0.26且B/G@1.75。硫代磷酸铟InPS4具有较低的抗变形能力，其杨氏模量和剪切模量分别为38.47 GPa和15.27 GPa。
作者：
Tuan V Vu，A A Lavrentyev，B V Gabrelian，Dat D Vo，Hien D Tong，D M Hoat，O Y Khyzhun
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