研究目的
研究改变物质同位素组成以提高材料物理性能和光电探测器光电特性的可能性。
研究成果
改变半导体材料的同位素组成可以显著提升光电探测器的光电特性，包括灵敏度、量子效率和信噪比。同位素纳米工程为开发先进光电器件用新型半导体材料提供了极具前景的研究方向。
研究不足
该研究聚焦于特定半导体材料（硅和砷化镓）及其同位素纯化。同位素纳米工程在光电探测器大规模生产中的实际应用可能面临挑战。
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利用同位素纳米工程技术提高光电探测器质量
DOI：10.1134/S1995078019020149
期刊：Nanotechnologies in Russia
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
该研究探讨了通过改变物质同位素组成来提升材料物理特性及光电器件（光电器件中最常见的光电探测器）光电特性的可能性。研究表明，减少光电探测器半导体材料中的重同位素可提高载流子迁移率、光吸收系数和量子效率，同时减少影响暗电流的带隙子能级数量。这将增强光电探测器的灵敏度，降低暗电流强度，并改善光电探测器输出端的信噪比。研究对比了通过优化体半导体晶体、多量子阱和超晶格特性来改善材料性能的技术。
作者：
L. M. Zhuravleva，N. M. Legkii
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