研究目的
研究基于场效应晶体管（FET）的等离子体太赫兹（THz）探测器在低阻抗状态下集成单体天线的性能提升，并报道硅MOSFET在太赫兹频段阻抗特性的实验结果。
研究成果
该研究表明，基于低阻抗MOSFET且集成单片天线的等离子体太赫兹探测器性能显著提升。研究结果为设计低阻抗范围内的FET等离子体太赫兹探测器提供了指导方针，强调了阻抗匹配和等离子体沟道电子密度调制的重要性。
研究不足
该研究仅限于0.2太赫兹频段以及MOSFET和天线的特定阻抗范围。性能提升是在受控实验条件下展示的。
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[2019年IEEE第四届全球光电子学会议(OGC) - 中国深圳 (2019.9.3-2019.9.6)] 2019年IEEE第四届全球光电子学会议(OGC) - 基于光纤光栅辅助等离子体电化学传感器的重金属超灵敏检测
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DOI：10.1109/OGC.2019.8925102
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
我们展示了基于场效应晶体管（FET）的等离子体太赫兹（THz）探测器在低阻抗区采用单片集成天线时的性能提升，并利用0.2-THz测量系统报道了Si MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。通过设计低阻抗范围（<1 kΩ）的FET并集成50和100 Ω阻抗的天线，我们发现低阻抗MOSFET在0.2 THz下满足50 Ω输入阻抗标准，且栅氧化层更薄的MOSFET在50-Ω天线配置下展现出比无天线探测器高325倍的显著增强的等离子体光响应。
作者：
Min Woo Ryu，Kwan Sung Kim，Jeong Seop Lee，Kibog Park，Jong-Ryul Yang，Seong-Tae Han，Kyung Rok Kim
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