研究目的
开发一种利用基于高锰酸钾（KMnO?）吸收液体的可见光激光诱导背面湿法蚀刻（v-LIBWE）技术在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）上进行连续沟槽微加工的方法。
研究成果
该研究成功证明了采用v-LIBWE技术（以高锰酸钾作为光吸收剂）可实现PMMA的连续无碎屑蚀刻。要获得无裂纹表面，扫描速度需不低于2毫米/秒。该方法为聚合物基材的微加工提供了新思路。
研究不足
沟槽深度似乎在约2微米处达到饱和，进一步增加深度的尝试未获成功。较低的扫描速度会导致表面出现裂纹和粗糙形貌。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用532纳米纳秒Q开关激光器对掺有KMnO4吸收剂的PMMA进行v-LIBWE加工。激光脉宽约10-15纳秒，重复频率设为10千赫兹。
2：样品与数据来源：
选用清洁后的PMMA薄板作为基底，配制0.316M KMnO4溶液作为吸收剂。
3：316M KMnO4溶液作为吸收剂。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：包含532纳米纳秒Q开关激光器、偏振分束镜、反射式中性密度滤光片、10倍物镜显微镜、光谱仪及电动XY载物台。
4：实验流程与操作步骤：
将激光聚焦于PMMA-KMnO4界面，通过调节腔体移动速度刻蚀沟槽，最终采用轮廓仪和扫描电镜分析刻蚀效果。
5：数据分析方法：
测量沟槽深度，根据激光能量密度、扫描速度及光束通过次数计算刻蚀速率。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Microscope with a 10× objective lens
Olympus Plan N 10×
Olympus
Used to focus the laser beam on the PMMA-KMnO4 interface.
暂无现货
预约到货通知
-
Spectrometer
USB4000
Ocean Optics
Used to collect emission light during v-LIBWE.
立即获取同款设备
-
532 nm nanosecond Q-switched laser
DS10H-532
Photonics Industries
Used for visible laser-induced backside wet etching (v-LIBWE) on PMMA.
立即获取同款设备 -
Polarizing beam splitter
PB 50-532
CVI Optics
Used to reduce and vary the power for PMMA etching.
暂无现货
预约到货通知
-
Reflective ND filters
Thorlabs
Used to control the power of the reflected light leading to the sample.
暂无现货
预约到货通知
-
Motorized X-Y stage
6K2
Parker Automation
Used to move the chamber during the etching process.
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部
