研究目的
研究非晶态硫系材料（特别是二元AsxTe1?x薄膜）中的亚阈值导电特性和阈值开关现象，以理解奥弗辛斯基阈值开关（OTS）的机理。
研究成果
该研究基于陷阱控制的SCLC模型，成功分析了非晶AsxTe1?x硫系化合物材料中的阈值开关现象。研究成果揭示了亚阈值导通与阈值开关的机理，为三维交叉点阵列中选择器器件的物理机制优化及开关参数设计提供了理论依据。
研究不足
该研究聚焦于二元AsxTe1?x薄膜，其发现可能并不直接适用于其他硫系化合物材料。阈值开关的确切机制仍部分不明确，表明存在进一步研究的空间。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用射频磁控共溅射法制备二元AsxTe1?x薄膜以探究OTS特性，通过光学与电学分析理解亚阈值导电机制。
2：样本选择与数据来源：
制备不同碲浓度的AsxTe1?x薄膜，化学成分通过X射线光电子能谱(XPS)估算，结晶度采用掠入射X射线衍射与透射电子显微镜(TEM)分析。
3：实验设备与材料清单：
包含XPS（Thermo VG K-alpha）、TEM（JEOL JEM-F200）、紫外-可见-近红外分光光度计（Agilent Cary 5000）及Keysight B1500A电学特性测量仪。
4：0）、紫外-可见-近红外分光光度计（Agilent Cary 5000）及Keysight B1500A电学特性测量仪。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：薄膜沉积于W底电极上，TiN作为顶电极，测量电学性能并测定光学带隙与乌尔巴赫能量。
5：数据分析方法：
基于陷阱控制空间电荷限制电流模型解析导电机制，通过J-V特性分析理解陷阱分布效应。
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