研究目的
在极低磁?。?lt;1 mT）条件下探索电检测磁共振技术，并通过对比常规p共轭聚合物与其全氘代类似物，揭示零场特征与局域超精细磁场之间的相互作用。
研究成果
研究表明，降低超精细场虽能锐化塞曼峰，但会以零场峰增强为代价，这揭示了基于自由基对体系中检测顺磁共振存在基本的低场极限。有机发光二极管（OLED）为研究光化学反应中磁场效应的自由基对机制提供了研究平台。
研究不足
研究表明，由于窄共振谱与由超精细耦合减弱导致的准静态零场特征之间的竞争，解析塞曼共振存在一个基本的低场极限。
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用于OLED超低频磁共振的全氘代共轭聚合物
DOI：10.1002/ange.202002477
期刊：Angewandte Chemie
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
OLED中激子的形成具有自旋依赖性，可通过电子顺磁共振进行调控，从而影响器件电阻和电致发光效率。我们研究了极低磁?。?lt;1毫特斯拉）条件下的电检测磁共振现象。除常规自旋1/2塞曼共振（其拉莫尔频率与入射辐射匹配）外，在零场处出现显著特征峰。通过对比常规p共轭聚合物与全氘代类似物作为活性材料，我们揭示了零场特征与局部超精细磁场的相互作用机制。该零场峰源于射频辐射在载流子对寿命量级时间内的准静态磁场效应。塞曼共振可解析至3.2兆赫兹——约为地磁场中电子拉莫尔频率的两倍。但由于降低超精细磁场虽能锐化塞曼峰却会增强零场峰，我们认为该结果可能构成了载流子对体系中磁共振的基本低场极限。OLED为研究光化学反应中自由基对机制的磁场效应提供了固态替代平台，通过脉冲实验直接测量时域自旋退相干，可验证生物磁感受模型。
作者：
Sebastian Milster，Tobias Gr(cid:2)nbaum，Sebastian Bange，Simon Kurrmann，Hermann Kraus，Dani M. Stoltzfus，Anna E. Leung，Tamim A. Darwish，Paul L. Burn，Christoph Boehme，John M. Lupton
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