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用于光电器件的硅掺杂镧系β-二酮配合物的光谱学研究

DOI:10.1007/s10854-020-03235-8 期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 在本研究中,合成了掺杂二氧化硅的镧系β-二酮配合物。通过FTIR和FESEM分析对所制备配合物进行了结构表征。FTIR光谱中峰位的偏移与配位作用相关,并通过该光谱证实了二氧化硅在配合物中的掺杂情况。采用FESEM和EDX研究分析了配合物的表面形貌及元素组成。通过漫反射和光致发光等光学性质研究,了解了配合物能级间可能的跃迁过程及发射峰特征。根据激发态寿命确定了荧光发射带的归属。通过固定发射波长下记录衰减曲线,测量了荧光强度随时间的变化。所有三种配合物的寿命均达到微秒(μs)量级。配合物的色坐标位于蓝色区域。通过测量重量随温度变化的函数,检验了配合物的热稳定性。
作者: J. Priya,N. K. Gondia,S. K. Sharma
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研究概述 实验方案 设备清单

通过将二氧化硅引入镧系四配位复合物的基质中,以提高其化学稳定性、热稳定性及光度特性。

成功合成了镧系β-二酮配合物的硅掺杂材料并完成表征。研究发现钾配合物具有最佳热稳定性,且因其短激发态寿命与蓝光发射特性,在光电器件应用方面展现出潜力。

该研究聚焦于掺杂硅的镧系β-二酮配合物及其在光电器件中的潜在应用,但未探讨其他基质或光电器件以外的应用领域。

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