研究目的
研究基于InGaAs/GaAs量子阱点阵列有源区的微激光器电流-电压特性，以理解侧表面附近非导电层的形成机制。
研究成果
研究表明，对于直径为10.5至31微米的微盘激光器，计算电流密度时应假设电流流通区域的直径比深台面截面的直径小3微米。这表明侧壁附近存在非导电层，影响了有效电流流通区域。
研究不足
该研究在测量过程中未稳定温度，这可能影响I-V特性的准确性。此外，未充分探究侧壁附近无意氧化或损伤的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及直径为10.5至31微米的微盘激光器的制备与分析，重点研究其电流-电压特性。
2：5至31微米的微盘激光器的制备与分析，重点研究其电流-电压特性。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：微激光器采用MOVPE方法在n+-GaAs衬底上合成的异质结构制备而成。
3：实验设备与材料清单：
有源区由五个置于GaAs波导中的In0.4Ga0.6As量子阱层组成，并带有n型和p型AlGaAs包覆层。微盘腔体通过深等离子化学刻蚀形成。
4：4Ga6As量子阱层组成，并带有n型和p型AlGaAs包覆层。微盘腔体通过深等离子化学刻蚀形成。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：电流-电压特性测量未进行温度稳定处理，电流密度基于有效电流流通面积减小的假设进行计算。
5：数据分析方法：
对实验数据进行分析以确定真实电流密度及侧壁附近非导电层的尺寸。
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获取完整内容-
InGaAs/GaAs quantum well-dots
Active region of the microlasers
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GaAs substrate
Base material for the heterostructure
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AlGaAs cladding layers
Confinement layers for the waveguide
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SU-8 resist
Planarization material for the microdisks
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