研究目的
报道了采用铍离子注入工艺制备的InAs平面雪崩光电二极管(APD),该器件实现了高增益且无明显隧穿电流及低表面漏电流的特性。
研究成果
采用铍离子注入工艺制备的平面InAs雪崩光电二极管(APD)表现出低表面漏电流特性,在200K温度下仍呈现以扩散机制为主的暗电流。器件实现了2×101? cm?3的低本底掺杂浓度和8μm的耗尽层宽度,在-26V偏压、200K条件下获得330倍增益且未产生显著隧穿电流。渐变p型掺杂结构有效抑制了APD边缘击穿现象。
研究不足
表面漏电流仍然显著,尤其是在低温或小型器件中。平面雪崩光电二极管中本底掺杂的来源尚未确定。
1:实验设计与方法选择:
采用Be离子注入法制备InAs平面雪崩光电二极管(APD)。
2:样品选择与数据来源:
采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在590°C的衬底温度下生长InAs。
3:实验设备与材料清单:
金属有机物气相外延(MOVPE)、Be离子注入、SiO?、光刻胶、SiN键合焊盘、单层增透(AR)膜、SU-8光刻胶、Ti/Au欧姆接触。
4:实验步骤与操作流程:
室温下进行Be离子注入,550°C退火30秒,沉积SiN键合焊盘与增透膜,用SU-8进行钝化处理,沉积Ti/Au欧姆接触。
5:数据分析方法:
电流-电压(I-V)特性测试、电容-电压(C-V)测量、二次离子质谱(SIMS)分析。
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