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基于III-V族半导体单纳米线的室温红外光电探测器研究综述

DOI：10.3390/ma13061400 期刊：Materials 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 近年来，III-V族半导体纳米线因其一维形貌、直接且可调的带隙以及独特的光电特性，被广泛研究作为高性能光电探测器的潜力候选材料。本文综述并比较了基于III-V族半导体的单根纳米线红外探测器最新进展，包括材料合成、代表性类型（基于不同工作原理和新颖概念）、器件性能，以及面临的挑战与未来展望。
作者： Ziyuan Li，Jeffery Allen，Monica Allen，Hark Hoe Tan，Chennupati Jagadish，Lan Fu
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研究概述 实验方案

研究目的

回顾并比较基于III-V族半导体的单纳米线红外光电探测器近期发展，包括材料合成、代表性类型、器件性能、挑战及未来展望。

研究成果

单根III-V族半导体纳米线已被广泛研究作为室温高性能红外探测器，其宽探测波长范围覆盖紫外、可见光、红外及太赫兹波段。本综述重点介绍了它们在材料、结构及性能对比方面的最新进展，同时分析了现存挑战与未来可能的发展方向。

研究不足

单根纳米线光电探测器的输出电流仍过低，难以满足实际应用需求。在大规模制备及将单根纳米线可控组装成水平阵列方面存在挑战。探测波长由材料带隙决定，限制了其在某些应用中的适用范围。

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