研究目的
研究基于单个多晶GaTe微片的超低阈值随机激光的实现，并探索空间局域腔体尺寸对泵浦强度分布和温度的依赖性。
研究成果
该研究成功展示了基于单个多晶GaTe微片的随机激光器制备，其阈值低至4.15千瓦/平方厘米。研究结果凸显了多晶GaTe在光电子应用中的潜力，为制备小型化、低阈值的随机激光器提供了新途径。
研究不足
该研究受限于多晶GaTe微片中控制晶粒尺寸和分布的技术难题，而这些因素对优化随机激光性能至关重要。此外，温度依赖性研究仅进行到100K，更高温度下的进一步研究仍有空间。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用物理气相沉积法（PVD）合成多晶GaTe微片，并通过表征其结构与光学特性来探究随机激光现象。
2：样品选择与数据来源：
多晶GaTe微片在受控生长条件下合成，样品通过扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）和拉曼光谱进行表征。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于PVD的管式炉系统、扫描电镜（日立S4800）、透射电镜（JEOL 2100）、X射线衍射仪（帕纳科）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB 250Xi）及拉曼光谱系统；材料包括GaTe粉末和SiO2/Si衬底。
4：0）、透射电镜（JEOL 2100）、X射线衍射仪（帕纳科）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB 250Xi）及拉曼光谱系统；材料包括GaTe粉末和SiO2/Si衬底。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：合成过程涉及在管式炉中加热GaTe粉末，随后对所得微片进行表征。光学测量采用配备410纳米激光源的显微光致发光（PL）系统完成。
5：数据分析方法：
通过光致发光光谱和快速傅里叶变换（FFT）分析激光特性，研究局域化随机腔的形成机制。
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SEM
Hitachi S4800
Hitachi
Morphology and atomic structure investigation of the samples
-
TEM
JEOL 2100
JEOL
Morphology and atomic structure investigation of the samples
-
XRD
PANalytical
PANalytical
Crystallinity identification of the samples
-
XPS
ESCALAB 250Xi
Thermo Fisher Scientific
Chemical component analysis
-
Raman spectroscopy system
Witec Ulm Germany/Izasa Portugal
Witec
Lattice vibration investigation of the samples
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