研究目的
研究二硫化钼纳米片对P3HT链长程有序排列与聚集的影响，以实现有机电子器件中的高效电荷传输。
研究成果
在P3HT基质中引入MoS2纳米片显著提升了聚合物链的远程有序性和结晶度，从而增强了电荷传输性能。与纯P3HT相比，P3HT/MoS2纳米复合薄膜表现出更高的迁移率，其中1% MoS2比例的样品展现出最佳性能。
研究不足
该研究仅限于MoS2纳米片对P3HT链的影响，未探索其他二维材料或聚合物。OFETs的性能是在环境条件下测量的，这可能会影响结果。
1：实验设计与方法选择：
研究通过超声处理在氯仿中合成不同MoS2纳米片比例的P3HT/MoS2纳米复合材料，在气液界面制备薄膜。
2：样品选择与数据来源：
使用平均分子量54-75 kDa、头尾规整度98%的P3HT，MoS2晶体购自美国SPI公司。
3：实验设备与材料清单：
紫外-可见吸收光谱、循环伏安法、掠入射X射线衍射（GIXD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HR-TEM）及有机场效应晶体管（OFETs）制备。
4：实验流程与操作步骤：
配制纳米复合材料溶液并在气液界面制备薄膜，利用表征工具分析薄膜性能。
5：数据分析方法：
采用黄-里斯参数计算激子带宽，通过饱和区估算OFETs迁移率。
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获取完整内容-
FEI, Tech G2
Tech G2
FEI
High-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) for structural property investigation
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Keysight parameter analyzer
B1500A
Keysight
Used to investigate the charge transport properties of OFETs
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Perkin Elmer Lambda 25
Lambda 25
Perkin Elmer
Dual-beam spectrophotometer for UV-vis. absorption spectra
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Rigaku smart lab system
smart lab
Rigaku
Advanced thin-film X-ray diffraction systems for GIXD analysis
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P3HT
54-75 kDa
Sigma Aldrich
Semiconducting polymer used in the study
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MoS2
SPI supplies
Two-dimensional material used to induce aggregation in P3HT
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NT-MDT
NT-MDT
Atomic force microscopy (AFM) for surface morphology investigation
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