研究目的
研究室温处理的Cu-Zn-S纳米复合材料作为CdTe光伏器件中空穴传输材料的应用以提升器件性能。
研究成果
在CdTe太阳能电池中应用室温处理的Cu-Zn-S纳米复合材料作为空穴传输材料,可显著提升器件性能,其效率达到与标准Cu/Au背接触相当的水平。降低的背势垒高度增强了光生空穴的提取能力,证明了Cu-Zn-S薄膜作为光伏器件中高效空穴传输层的潜力。
研究不足
该研究聚焦于Cu-Zn-S纳米复合材料在CdTe太阳能电池中的应用,未探讨其在其他类型光伏器件中的使用。性能对比仅限于Au及Cu/Au背接触。
1:实验设计与方法选择:
采用SILAR法在室温下沉积Cu-Zn-S纳米复合薄膜。该方法包括阳离子和阴离子前驱体的制备,沉积过程通过交替浸入这些前驱体并冲洗的循环实现。
2:样品选择与数据来源:
使用玻璃基底和CdTe器件堆叠。玻璃基底经Micro-90洗涤剂清洗,并依次用去离子水、丙酮、甲醇和异丙醇冲洗。
3:实验设备与材料清单:
采用浸渍涂布机进行SILAR沉积。表征手段包括日立S-4800扫描电镜、能谱仪(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计、理学Ultima III X射线衍射仪、四探针法测量方阻以及Dektak轮廓仪测量厚度。
4:实验流程与操作步骤:
沉积过程包含阳离子/阴离子前驱体交替浸渍及冲洗循环。CdTe器件经CdCl2处理后,采用SILAR法在其表面沉积Cu-Zn-S薄膜,最后通过金完成背接触。
5:数据分析方法:
光学性能通过透射/反射光谱分析,带隙值通过绘制(αhν)2与(hν)关系曲线估算,背势垒高度采用热电子发射模型获取。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容-
Hitachi S-4800 scanning electron microscopy (SEM)
S-4800
Hitachi
Characterization of Cu-Zn-S thin films
-
Rigaku Ultima III X-ray diffractometer
Ultima III
Rigaku
Obtaining XRD patterns of Cu-Zn-S films
-
Lambda PerkinElmer 1050 spectrophotometer
1050
PerkinElmer
Measuring optical properties of Cu-Zn-S films
-
Dektak profilometer
Measuring thickness of Cu-Zn-S films
-
4-point probe
Measuring sheet resistance of Cu-Zn-S films
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部