研究目的
将带间跃迁量子阱光电探测器的操作波长从扩展的短波红外延伸至中波红外。
研究成果
该研究展示了一种基于带间跃迁将InAsSb/(Al)GaSb量子阱的波长从短波段延伸至中波段的方法，其波长峰值达到3.026微米。光电探测器的工作需要II型结构。
研究不足
InAsSb外延层中高含量的锑（Sb）会引入与GaSb衬底的晶格失配，这可能降低材料质量并影响光电探测器的性能。
1：实验设计与方法选择：
在有效质量近似框架下计算了InAsSb/(Al)GaSb量子阱的能带结构。
2：样品选择与数据来源：
在V80H固态源分子束外延（MBE）系统中生长了不同量子阱厚度的InAs0.91Sb0.09/GaSb量子阱结构及InAsSb/AlSb/AlGaSb量子阱结构。
3：91Sb09/GaSb量子阱结构及InAsSb/AlSb/AlGaSb量子阱结构。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：V80H固态源MBE系统、反射式高能电子衍射仪（RHEED）、高分辨X射线衍射仪（XRD）、布鲁克VERTEX 80傅里叶变换红外光谱仪。
4：实验步骤与操作流程：
通过MBE生长结构，利用XRD进行表征，制备成台面隔离光电探测器并测试光电流谱。
5：数据分析方法：
分析光电流谱以确定响应范围和峰值。
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Bruker VERTEX 80 Fourier transform infrared spectrometer
VERTEX 80
Bruker
Used for testing the photocurrent spectrum.
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V80H solid source molecular beam epitaxy system
V80H
Used for growing InAsSb/(Al)GaSb quantum well structures.
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Reflection high energy electron diffraction
RHEED
Used to monitor crystal growth quality.
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High resolution X-ray diffraction
XRD
Used to assess the crystal quality of the grown structures.
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