研究目的
研究镁掺杂ε-Ga2O3日盲光电探测器的制备与表征，以推动亚稳态Ga2O3光电器件的相关发展。
研究成果
掺镁ε-Ga2O3薄膜日盲光电探测器表现出优异性能，包括光电暗电流比1.68×102、响应度77.2 mA/W、比探测率2.85×1012 Jones以及外量子效率37.8%。该器件能稳定工作并保持一致的光开关特性，表明ε-Ga2O3在日盲光电探测器应用中具有潜力。
研究不足
未经任何湿法化学及等离子体（干法）处理，且缺乏有效表面钝化的镁掺杂ε-氧化镓薄膜，其内部及/或金/镁掺杂ε-氧化镓界面处存在大量缺陷与陷阱，可能限制探测器性能。
1：实验设计与方法选择：
采用射频磁控溅射技术在470℃、80W功率、2.7Pa气压及25SCCM氩气流量条件下，在纯ε-Ga2O3层上沉积镁掺杂ε-Ga2O3薄膜。纯ε-Ga2O3薄膜通过金属有机化学气相沉积法在470℃和25Torr压力下生长于蓝宝石衬底上。
2：0℃、80W功率、7Pa气压及25SCCM氩气流量条件下，在纯ε-Ga2O3层上沉积镁掺杂ε-Ga2O3薄膜。纯ε-Ga2O3薄膜通过金属有机化学气相沉积法在470℃和25Torr压力下生长于蓝宝石衬底上。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：样品表征采用X射线衍射仪、X射线极图仪、X射线光电子能谱仪、紫外-可见吸收光谱仪及扫描电子显微镜。
3：实验设备与材料清单：
射频磁控溅射系统、金属有机化学气相沉积系统、蓝宝石衬底、金电极。
4：实验步骤与操作流程：
通过直流磁控溅射配合遮蔽式硬质金属掩模，在镁掺杂ε-Ga2O3薄膜表面制备三对叉指状金电极。
5：数据分析方法：
采用Keithley 4200半导体分析仪进行I-V和I-t测试以表征光电特性。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Keithley 4200 semiconductor analyzer
4200
Keithley
Characterization of optoelectrical behaviors
-
radio-frequency magnetron sputtering system
Deposition of Mg-doped ε-Ga2O3 thin film
-
metal-organic chemical vapor deposition system
Growth of pure ε-Ga2O3 thin film
-
X-ray diffraction
Certification of the quality of Mg-doped ε-Ga2O3 thin film
-
X-ray photoelectron spectroscope
Certification of the quality of Mg-doped ε-Ga2O3 thin film
-
ultraviolet-visible absorbance spectra
Certification of the quality of Mg-doped ε-Ga2O3 thin film
-
scanning electron microscope
Characterization of the surface and the thicknesses of the films
-
登录查看剩余5件设备及参数对照表
查看全部
