研究目的
研究基于AlInSb/InSb的nBn异质结构制备，以降低红外光电探测器的暗电流。
研究成果
基于AlInSb/InSb的nBn异质结构相比pin结构表现出显著降低的暗电流密度，这归因于内建势垒对多数载流子的高效阻挡。研究发现体电流分量占主导地位超过表面分量，表明对表面钝化的要求有所放宽。
研究不足
该研究仅限于在特定温度和偏压条件下对nBn异质结构中暗电流特性的表征。未探究光照等其他因素或不同掺杂水平的影响。
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分子束外延生长的AlInSb/InSb异质结构用于红外光电探测器
DOI：10.1134/S1063785020020285
期刊：Technical Physics Letters
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
基于AlInSb/InSb的光电探测器异质结构通过分子束外延法生长。制备了不同直径的介观结构，测量了暗电流的温度依赖性。研究表明，内建势垒阻挡了多数载流子的流动，从而降低了暗电流密度（相对于基于InSb的pin结构）。暗电流与介观结构尺寸的测量关系表明，体电流分量占主导地位超过表面电流分量。
作者：
M. A. Sukhanov，A. K. Bakarov，D. Yu. Protasov，K. S. Zhuravlev
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