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采用单次外延生长和单面光刻的垂直耦合InP/InGaAsP微环激光器

DOI：10.1109/JLT.2020.2983463 期刊：Journal of Lightwave Technology 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 本文展示了一种仅需单次外延生长和两次单面光刻步骤的垂直微环激光器实验成果，这是迄今为止此类器件最简化的制造方案。所制备的激光器在正向偏压下呈现约20Ω的串联电阻，室温阈值电流介于35至58mA之间，具有边模抑制比高于30dB的单模发射特性，实测光输出功率达数十微瓦量级。该方法在保持制造工艺简易性的同时提升了光学性能。
作者： óscar García López，Dries Van Thourhout，Steven Verstuyft，Manuel López-Amo，Roel Baets，Marko Galarza
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

展示利用单次外延生长和单面光刻技术制备垂直微环激光器的方法，旨在简化制造流程的同时保持或提升光学性能。

研究成果

该研究成功展示了一种采用单次外延生长和常规单面光刻技术制造的垂直微环激光器，提供了更简化的制备方案。尽管存在一定局限性，但该方法无需增加额外制造步骤即可克服现有缺陷，有望在未来器件中实现更低阈值和更高功率运行。

研究不足

激光器发射的光功率低于预期，尺寸小于40微米的器件因表面复合、传播损耗及耦合系数降低而未出现激射现象。建议通过优化干法刻蚀工艺及采用量子点作为有源介质来改进性能。

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