研究目的
研究基于SnS2纳米片的高灵敏度和热稳定性紫外光电探测器的制备与表征。
研究成果
基于合成SnS2纳米薄片的紫外光电探测器在紫外光照射下具有高对比度、高响应度及高探测率，且热稳定性良好。其制备工艺简单、成本效益高，是紫外光电探测应用中极具前景的候选器件。
研究不足
所制备的光电探测器响应时间相对较慢（约2.2秒），这是由于两个银电极之间存在较大的通道间距所致。
1：实验设计与方法选择：
采用溶剂热法合成SnS2纳米薄片，并以Ag为接触材料在SiO2/Si衬底上制备光电导体结构。
2：样品选择与数据来源：
电阻率为2-7欧姆·厘米的p型硅衬底，合成的SnS2纳米薄片。
3：实验设备与材料清单：
理学Smart-Lab 9kW X射线衍射仪（XRD）、雷尼绍inVia拉曼光谱仪（德国）、珀金埃尔默Lambda 25紫外-可见分光光度计、珀金埃尔默LS-45荧光光谱仪、FEI公司Tecnai G2 20透射电镜（美国）、NT-MDT公司NTEGRA Prima原子力显微镜、是德科技B1500A参数分析仪（电学表征）。
4：实验流程与操作步骤：
SnS2纳米薄片合成、旋涂于SiO2/Si衬底、Ag电极图案化、结构与光学表征、紫外光照下的电学表征。
5：数据分析方法：
XRD、拉曼光谱、吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜、高分辨透射电镜、选区电子衍射、原子力显微镜、电流-电压特性、响应度、探测率及时间响应测量分析。
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Raman analysis
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