研究目的
研究极化电场和俄歇复合对InGaN/GaN蓝光LED内量子效率的影响。
研究成果
极化电场会增强俄歇系数，导致InGaN/GaN蓝光LED的内量子效率显著下降。建议通过采用m面而非c面生长材料来减小极化场，从而提升发光效率。
研究不足
该研究基于理论建模，缺乏实验验证。对于导致效率下降的其他因素的影响尚未充分探究。
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《美国物理联合会会议录》[美国物理联合会 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 印度比卡内尔（2019年10月14-15日）] 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 极化场与俄歇复合对InGaN/GaN蓝光LED内量子效率的影响
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《美国物理联合会会议录》[美国物理联合会 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 印度比卡内尔（2019年10月14-15日）] 第三届凝聚态物质与应用物理国际会议（ICC-2019）- 极化场与俄歇复合对InGaN/GaN蓝光LED内量子效率的影响
DOI：10.1063/5.0001260
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
InxGa1-xN/GaN蓝光LED面临显著的效率衰减问题。效率衰减的原因包括肖克利-里德-霍尔复合（SRH）、俄歇复合（AR）、载流子离域化和电子泄漏。SRH、俄歇复合和电子泄漏均与载流子浓度及温度相关。InGaN/GaN超晶格界面存在极化电场。本研究探讨了极化电场对效率衰减的影响。结果表明，极化场会增强俄歇系数，导致蓝光LED内量子效率出现更严重的衰减。因此，为提升效率需最小化极化场，这要求材料在m面而非c面生长。
作者：
Neha Anchal，Anju Pansari，Bijay Kumar Sahoo
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