研究目的
研究利用量子尺寸物体提高GaInP/GaAs/Ge多结太阳能电池效率的潜力。
研究成果
研究表明,优化的量子阱结构(QWDs)能将GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的效率从29.8%提升至30.8%(AM0,1倍太阳光强),以及从41.6%提升至43.1%(AM1.5D,360倍太阳光强)。QWDs在增加光电流的同时,对GaAs太阳能电池引入的电压降实现了最优平衡,使其成为提升现代工业多结太阳能电池效率的潜力方案。
研究不足
该研究的局限性在于无法从三结太阳能电池的总体特性中提取子电池的暗电流曲线,导致难以准确计算采用量子点光学介质的多结太阳能电池效率。此外,量子点光学介质导致的复合增加会引起饱和电流上升和生成电压下降。
1:实验设计与方法选择:
本研究通过在1000纳米厚的i-GaAs区域中部插入不同量子尺寸物体(QOs),制备了单结GaAs p-i-n太阳能电池。这些QOs包括In0.2Ga0.8As量子阱、In0.4Ga0.6As量子阱点(QWDs)、In0.8Ga0.2As和InAs量子点,并设置了无QOs的对照电池。
2:2Ga8As量子阱、In4Ga6As量子阱点(QWDs)、In8Ga2As和InAs量子点,并设置了无QOs的对照电池。
样品选择与数据来源:
2. 样品选择与数据来源:结构采用低压金属有机气相外延(MOVPE)反应器在n+-GaAs(100)衬底上生长。
3:实验设备与材料清单:
使用脉冲太阳光模拟器测量电流-电压(IV)曲线。
4:实验步骤与操作流程:
比较了含不同QOs电池的内量子效率(IQE),通过暗IV特性和光谱特性计算了光电流增量及开路电压降低值。
5:数据分析方法:
描述了估算含量子物体三结太阳能电池效率的分析模型,计算时采用最佳工作点的电流密度(Jm)和电压(Vm)。
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