研究目的
研究静水压和温度对嵌入GaAs势垒中带润湿层的InAs球形段量子点电子能级的影响。
研究成果
在恒温(恒压)条件下,基态、第一和第二激发态能量随静水压力(温度)升高而降低(升高)。探测脉冲的线性和三阶非线性吸收与色散在恒温(恒压)时随静水压力(温度)增加呈现红移(蓝移)。系统中介质对探测脉冲的群速度随控制拉比频率增大而提高,且慢光频移范围随静水压力升高向更低探测频率方向移动。
研究不足
摘要中未明确提及。
研究目的
研究静水压和温度对嵌入GaAs势垒中带润湿层的InAs球形段量子点电子能级的影响。
研究成果
在恒温(恒压)条件下,基态、第一和第二激发态能量随静水压力(温度)升高而降低(升高)。探测脉冲的线性和三阶非线性吸收与色散在恒温(恒压)时随静水压力(温度)增加呈现红移(蓝移)。系统中介质对探测脉冲的群速度随控制拉比频率增大而提高,且慢光频移范围随静水压力升高向更低探测频率方向移动。
研究不足
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