研究目的
研究生长在SiO2基纳米模板上的SiGe纳米柱的合并过程，并在不同合并阶段对其进行表征。
研究成果
成功研究了SiGe纳米柱的合并过程，结果表明当厚度超过30纳米时，单个纳米柱会融合成更大的晶粒。实验获得了高度的宏观应变弛豫，并在纳米柱合并初期阶段观察到了层错和孪晶等缺陷。
研究不足
该研究仅限于厚度为20至35纳米的SiGe纳米柱。位错或孪晶等缺陷的产生是工艺本身固有的。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用300毫米减压化学气相沉积设备进行25%硅锗纳米柱的选择性外延生长。
2：样品选择与数据来源：
使用轻微p型掺杂、名义上轴向的300毫米体硅(001)晶圆，其表面覆盖20纳米厚热氧化硅层。
3：实验设备与材料清单：
配备帕纳科X'Pert仪器进行X射线衍射分析，布鲁克Dimension FastScan平台用于原子力显微镜检测，布鲁克Dimension Icon SSRM-HR平台开展扫描扩展电阻显微镜分析，以及日本电子3010显微镜进行透射电镜观测。
4：实验流程与操作步骤：
通过不同厚度硅锗纳米柱的生长，并采用原子力显微镜、X射线衍射、扫描扩展电阻显微镜及透射电镜进行表征。
5：数据分析方法：
利用高斯拟合从X射线衍射数据估算硅锗峰位，通过Nanoscope Analysis软件对原子力显微镜扫描图像进行颗粒分析。
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