研究目的
研究闪烁体在-182°C至+152°C温度范围内的相对光产额及非线性响应趋势,重点分析CsI:Tl晶体对γ射线和X射线的响应特性。
研究成果
研究表明,铯碘化物掺铊(CsI:Tl)的闪烁效率在室温下达到峰值,在较低和较高温度下均显著下降。闪烁响应的非线性在低温下更为明显,而随着温度升高会趋于更线性。该方法允许使用同一套装置扫描较宽的温度范围,为闪烁特性建模提供了宝贵数据。
研究不足
在接近液氮沸点的温度下,CsI:Tl的光产额显著降低,这使得在极低温度下记录探测器响应的能力仅限于662 keV的γ射线。SiPM的温度敏感性需要仔细监测和调整,以在整个实验过程中保持一致的增益。
1:实验设计与方法选择
定制了一台低温恒温器,用于将测试样品的温度在-182°C至+152°C之间调节。闪烁光由安装在铜框架上的硅光电倍增管(SiPM)检测,该铜框架与晶体分离以保持设备处于室温。
2:样品选择与数据来源
使用尺寸为5×6×7 mm3的掺铊碘化铯(CsI)晶体。除面向光电探测器的底部外,晶体所有侧面均覆盖聚四氟乙烯胶带。
3:实验设备与材料清单
NUV-HD硅光电倍增管(SiPM)、带铝制壁的低温恒温器、铍窗、铜框架、铜棒、DT-600硅二极管温度传感器、Keysight B2901A源/测量单元、Canberra 2005前置放大器、Ortec 672谱放大器、Tukan8k多道分析仪。
4:实验流程与操作步骤
通过液氮(LN2)冷却和电压调节器加热来改变样品温度。硅光电倍增管施加3.000V过压偏置。信号经NIM标准模拟电子学处理并记录分析。
5:数据分析方法
测量了两种整形时间常数(2μs和10μs)下的相对光输出温度依赖性。使用137Cs源的662keVγ射线测量光输出温度依赖性,追踪了14keV至662keV之间的非线性趋势。
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Keysight B2901A
B2901A
Keysight
Source/measure unit for measuring breakdown voltage and biasing the SiPM
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Canberra 2005
2005
Canberra
Preamplifier for processing signals from the SiPM
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DT-600 silicon diode temperature sensors
DT-600
Lake Shore Cryotronics
Monitoring the temperature of the sample and the SiPM
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NUV-HD silicon photomultiplier
SiPM
Fondazione Bruno Kessler (FBK)
Detection of scintillation light
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Ortec 672
672
Ortec
Spectroscopy amplifier for shaping signals
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Tukan8k
8k
Multichannel analyzer for recording signals
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