研究目的
研究Na2S浸泡对Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜及太阳能电池性能的影响。
研究成果
Na2S浸泡工艺可消除CZTSSe薄膜中的细晶层并使晶界连续,从而提升太阳能电池性能。5 mM浓度的Na2S浸泡能显著提高短路电流密度(JSC)和转换效率,但更高浓度可能抑制结晶过程并形成缺陷。
研究不足
该研究未深入探究硫化钠浸泡现象背后的具体机制,指出了进一步研究的领域。
1:实验设计与方法选择:
本研究提出采用Na2S浸泡工艺作为CZTSSe前驱体薄膜的后处理步骤,随后进行常规硒化处理。
2:样品选择与数据来源:
前驱体薄膜通过旋涂前驱体溶液于镀钼钠钙玻璃衬底上制备而成。
3:实验设备与材料清单:
布鲁克D8 Advance X射线衍射仪、JY LabRAM HR拉曼光谱仪、FEI扫描电子显微镜及能谱仪、安捷伦B1500A半导体参数分析仪、QTesT 1000ADX测试系统。
4:实验流程与操作步骤:
将前驱体薄膜浸入Na2S水溶液,氮气干燥后采用石墨盒进行硒化处理。太阳能电池采用Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/AZO/Ag结构制备。
5:数据分析方法:
通过XRD和拉曼光谱进行物相分析,SEM表征形貌,EDS分析成分,I-V和QE测试评估电池性能。
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Bruker D8 Advance X-ray diffractometer
D8 Advance
Bruker
Analyzing the constitutions of the films
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LabRAM HR
JY
Analyzing the constitutions of the films with 532 nm laser
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Agilent B1500A semiconductor parametric analyzer
B1500A
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1000ADX
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