研究目的
研究微腔介质阻挡放电的非线性电阻特性，并将其I-V特性与忆阻器进行比较以探索记忆特性。
研究成果
微腔介质阻挡放电过程表现出与忆阻器相似的记忆特性，其I-V滞后曲线具有可比性。这一发现为忆阻器的实现提供了潜在的新方案。
研究不足
忆阻器的物理制造目前仍是一个有待解决的问题。该研究依赖模拟模型而非物理实验。
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微腔介质阻挡放电的记忆特性
DOI：10.1088/1674-4926/39/11/114008
期刊：Journal of Semiconductors
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本文主要研究了微腔介质阻挡放电的非线性电阻特性。通过建立微腔介质阻挡放电的仿真模型，研究放电过程中电压与电流的关系，从而获得其I-V特性曲线。分析了忆阻器的I-V特性并与介质阻挡放电的I-V特性进行对比，发现微腔介质阻挡放电的I-V特性与忆阻器特性相似。进一步分析了微腔介质阻挡放电的记忆特性。
作者：
Yanzhou Sun，Xiaoqian Liu，Dati Su，Huibin Yang
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