研究目的
研究铯（Cs）吸附与插层对铱（Ir(111)）衬底上外延六方氮化硼（hBN）的改性作用，重点关注其几何结构与电子结构的变化。
研究成果
研究表明，铯（Cs）的吸附与插层显著改变了六方氮化硼/铱（111）面（hBN/Ir(111)）的几何与电子结构。含稀疏吸附铯的α相仅呈现微小变化，而具有密集铯插层与吸附的β相则表现出电子态的显著偏移及表面起伏程度的降低。测得六方氮化硼的电子带隙大于5.85电子伏特。
研究不足
该研究受限于无法实现仅Cs插层的相态，表明其他结构可能具有极小或不存在的相空间。此外，由于插层Cs的光电子强度衰减，各相间Cs密度的真实比例未能精确测定。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用扫描隧道显微镜（STM）、低能电子衍射（LEED）、X射线光电子能谱（XPS）和X射线驻波技术，分析铯吸附与插层引起的原子结构变化。
2：样本选择与数据来源：
实验在Ir(111)衬底上通过化学气相沉积（CVD）生长的外延六方氮化硼（hBN）上进行，铯来自商业来源并沉积于hBN/Ir(111)表面。
3：实验设备与材料清单：
STM、LEED、XPS、X射线驻波技术、Ir(111)衬底、用于hBN生长的环硼氮烷（B3H6N3）、铯源（SAES Getters）。
4：3）、铯源（SAES Getters）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：在不同温度下将铯沉积于hBN/Ir(111)以实现吸附与插层，随后利用上述技术分析结构与电子变化。
5：数据分析方法：
分析数据以确定几何与电子结构修饰，包括价带与芯能级位移。
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scanning tunneling microscopy
Used to study changes in the atomic structure induced by Cs adsorption and intercalation.
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low-energy electron diffraction
Used to analyze the ordered arrangements of Cs atoms on hBN/Ir(111).
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x-ray photoelectron spectroscopy
Used to study shifts in the electronic structure of hBN induced by Cs adsorption and intercalation.
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x-ray standing wave technique
Used to determine the positions of different species in the vertical direction.
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Cs source
SAES Getters
Used for Cs deposition onto hBN/Ir(111).
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