研究目的
研究采用氮化镓晶体管的硬开关转换器在效率、尺寸和成本降低方面的性能提升。
研究成果
由于氮化镓（GaN）晶体管具有更低的动态损耗、更小的输出电容以及零反向恢复特性，它们在硬开关转换器中能实现显著的性能提升。本章开发的分析工具为计算和比较这些损耗提供了方法，实验结果验证了理论预测的准确性。
研究不足
该分析基于理想条件，可能未考虑所有实际寄生效应。共源电感与环路电感的影响显著，但在不扰动电路的情况下难以精确测量。
1：实验设计与方法选择：
本章回顾硬开关拓扑结构，分析氮化镓（GaN）晶体管的开关与导通特性。
2：样本选择与数据来源：
采用氮化镓晶体管（EPC2015）进行分析，数据提取自器件数据手册。
3：实验设备与材料清单：
EPC2015氮化镓晶体管、降压转换器实验装置。
4：实验步骤与操作流程：
详细分析开关转换过程、输出电容损耗、栅极电荷损耗、反向导通损耗及反向恢复损耗。
5：数据分析方法：
通过图形与数学方法分析开关损耗，包括共源电感与环路电感的影响。
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