研究目的
研究热退火对Se90Sb10薄膜光学和电学性能的影响，以应用于光盘数据存储技术和太阳能电池。
研究成果
热退火诱导Se90Sb10薄膜发生非晶-晶态相变，有利于光盘数据存储技术。结晶度随退火温度升高而提升。该薄膜在900纳米波长下呈现高透光性，适用于红外传输。光学吸收数据显示其存在间接允许光学跃迁。光学带隙随退火处理减小，归因于能带结构中局域态的形成。退火处理提高了电导率并降低了导电激活能，从而增强薄膜在太阳能电池应用中的性能。
研究不足
该研究仅限于热退火对Se90Sb10薄膜的影响。最高退火温度（473 K）导致薄膜材料部分蒸发，这可能影响结果。未来研究可探索在Se-Sb二元体系中添加第三元素以进一步改性性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用熔融淬火技术制备Se90Sb10块体合金，并通过热蒸发法沉积薄膜?？疾炝瞬煌露韧嘶鸫矶员∧さ挠跋?。
2：样品选择与数据来源：
块体样品由纯度99.99%的Se和Sb元素制备而成。薄膜样品通过热蒸发法沉积。
3：99%的Se和Sb元素制备而成。薄膜样品通过热蒸发法沉积。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：差示扫描量热仪（DSC，DU Pont 1090型）、X射线衍射仪（Philips，PW 1710型）、扫描电子显微镜（Jeol JSM-T200型）、双光束分光光度计（Shimadzu 2101型）、高内阻静电计（Keithely 175A型）。
4：实验流程与操作步骤：
使用DSC分析块体样品的热行为；记录薄膜的XRD图谱；采用SEM观察表面形貌；测量250-2500 nm波长范围内的透射率和反射率光谱；在300-500 K温度范围内测定暗电导率。
5：数据分析方法：
通过透射和反射光谱表征光学常数及折射率色散参数；分析电导率数据以确定导电激活能。
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获取完整内容-
High internal impedance electrometer
175A
Keithely
Measuring the dark electrical conductivity of the thin films
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Scanning Electron Microscopy
JSM-T200
Jeol
Investigating the surface morphology of the samples
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Double beam spectrophotometer
2101
Shimadzu
Measuring the transmittance and reflectance spectra of the thin films
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Differential Scanning Calorimetry
DU Pont 1090
DU Pont
Examining the thermal behavior of the bulk sample
-
X-Ray Diffractometer
PW 1710
Philips
Recording the X-ray diffraction patterns of the thin films
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