研究目的
开发一种可靠技术，将二硫化钼（MoS2）从外延石墨烯（EG）转移到介电衬底上，且不损害其电子特性，从而进一步研究通过范德华外延生长的过渡金属硫族化合物（TMDs）的本征光学和电子特性。
研究成果
该研究成功展示了一种利用铜粘附层将高质量单层二硫化钼（MoS2）从EG/SiC衬底选择性转移至SiO2/Si衬底的技术，在转移过程中保持了MoS2的旋转有序性和本征电子特性。这一突破为研究通过范德华外延生长的过渡金属硫族化合物（TMDs）的本征光学和电子特性提供了可能，并在纳米电子、光电子和光子技术领域具有应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于二硫化钼（MoS2）和膨胀石墨（EG），尽管该方法有望推广至其他过渡金属二硫化物（TMDs）及相关二维材料，但尚未通过实验验证。转移过程可能在EG中引入拉应变，这种应变对转移材料性能的影响有待进一步研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用热释放胶带（TRT）和铜（Cu）粘附层的干法转移技术，从EG生长基底上选择性剥离旋转有序的孤立MoS2畴区。选择Cu作为粘附层是基于密度泛函理论（DFT）计算预测MoS2与Cu的结合能高于石墨烯。
2：样品选择与数据来源：
使用化学气相沉积（CVD）法在EG/SiC基底上生长的MoS2。转移前后均对MoS2畴区进行表征。
3：实验设备与材料清单：
设备包括原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线光电子能谱（XPS）、拉曼光谱仪和光致发光（PL）光谱仪。材料包括MoS2、EG/SiC基底、Cu粘附层和SiO2/Si基底。
4：EG/SiC基底、Cu粘附层和SiO2/Si基底。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：转移过程包括在MoS2/EG/SiC上沉积Cu层，将TRT置于Cu/MoS2/EG/SiC基底上，机械剥离TRT/Cu/MoS2叠层，将其置于清洁的SiO2/Si基底上，加热去除TRT，刻蚀Cu层并用去离子水冲洗。
5：数据分析方法：
通过AFM、SEM、TEM、XPS、拉曼光谱和PL光谱研究转移后MoS2的结构与性能。进行电荷输运测量以评估电学特性。
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