研究目的
研究加工和电场极化对PMN-PT单晶畴结构的影响,并探索控制畴结构以提高光学性能的方法。
研究成果
PMN-PT单晶的畴结构对加工过程敏感,会导致无序畴图案从而降低光学性能。但通过温度循环可消除这些无序图案,获得无裂纹的单畴晶体并提升光学性能。
研究不足
该研究仅限于[001]取向的四方相PMN-PT单晶。加工对畴构型的影响可能随晶体取向和组分而变化。
1:实验设计与方法选择:
研究观察了PMN-PT单晶在不同加工工艺和电场极化下的畴结构变化,提出采用温度循环法消除无序畴图案。
2:样品选择与数据来源:
使用[001]取向四方相PMN-PT单晶,通过改进布里奇曼法生长。
3:实验设备与材料清单:
偏光显微镜(PLM,Olympus BX51)、压电力显微镜(PFM,Dimension Icon,德国布鲁克)、安捷伦E4980A LCR分析仪、压电d33测试仪(ZJ-2)、日本分光V-570紫外-可见-红外分光光度计。
4:1)、压电力显微镜(PFM,Dimension Icon,德国布鲁克)、安捷伦E4980A LCR分析仪、压电d33测试仪(ZJ-2)、日本分光V-570紫外-可见-红外分光光度计。 实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:晶体经切割、研磨和抛光后,进行电场极化和温度循环处理,对比处理前后的畴结构形貌。
5:数据分析方法:
比较不同畴构型样品的介电性能和透射光谱差异。
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