研究目的
研究采用侵入式与非侵入式接触方法,对SiC(0001)台面结构上外延生长的侧壁石墨烯纳米带的弹道输运特性进行探究。
研究成果
原位多探针技术有效表征了探针在一维弹道系统输运实验中的作用。该研究展示了控制侵入式与非侵入式接触的能力,并将这些工作模式与探针的接触电阻相关联。这种方法有助于理解纳米尺度的输运特性。
研究不足
该研究的局限性在于通过手动控制压电元件来定位针尖,这限制了调节接触力的精度。未来使用基于原子力显微镜的探针可实现更系统的控制。
研究目的
研究采用侵入式与非侵入式接触方法,对SiC(0001)台面结构上外延生长的侧壁石墨烯纳米带的弹道输运特性进行探究。
研究成果
原位多探针技术有效表征了探针在一维弹道系统输运实验中的作用。该研究展示了控制侵入式与非侵入式接触的能力,并将这些工作模式与探针的接触电阻相关联。这种方法有助于理解纳米尺度的输运特性。
研究不足
该研究的局限性在于通过手动控制压电元件来定位针尖,这限制了调节接触力的精度。未来使用基于原子力显微镜的探针可实现更系统的控制。
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