研究目的
研究生长在SrTiO3衬底上的Mn4N薄膜的磁学特性，重点关注畴壁运动，以应用于自旋电子学领域。
研究成果
与生长在MgO衬底上的薄膜相比，生长在SrTiO3衬底上的Mn4N薄膜展现出更优异的磁学特性，包括更大的磁畴尺寸和更平滑的磁畴壁。这使得Mn4N/SrTiO3成为一种极具前景的无稀土亚铁磁系统，适用于电流诱导磁畴壁运动应用。
研究不足
该研究仅限于比较MgO和SrTiO3两种衬底上的Mn4N薄膜，未探索其他潜在衬底或薄膜厚度。理论平衡畴尺寸未实现，表明存在外禀缺陷的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用分子束外延（MBE）技术在MgO和SrTiO3衬底上沉积Mn4N薄膜，以比较其结构和磁学性质。
2：样品选择与数据来源：
样品包括生长在MgO(001)和SrTiO3(001)衬底上的10纳米厚Mn4N薄膜。
3：实验设备与材料清单：
MBE系统、反射式高能电子衍射仪（RHEED）、X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）、磁力显微镜（MFM）、磁光克尔效应显微镜（MOKE）。
4：实验步骤与操作流程：
在磁化反转前后对薄膜的晶体质量、磁学性质和磁畴构型进行表征。
5：数据分析方法：
分析包括XRD峰位拟合、磁滞回线测量以及基于二维快速傅里叶变换的磁畴尺寸估算。
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获取完整内容-
MBE system
Deposition of Mn4N thin films
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RHEED
Characterization of crystalline quality
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XRD
Structural characterization
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VSM
Magnetic property measurements
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MFM
Magnetic domain imaging
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MOKE microscopy
Magnetic domain imaging
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