研究目的
研究采用热氧化法在ITO玻璃衬底上制备的掺铟氧化锌纳米线的场发射特性。
研究成果
大面积掺铟氧化锌纳米线在ITO玻璃上制备成功，展现出优异的场发射性能。高长径比、掺杂引起的电导率变化及功函数改变是场发射增强的主要原因。后续将开展将该冷阴极材料应用于平板X射线源的研究工作。
研究不足
该研究聚焦于铟掺杂氧化锌纳米线的场发射特性，未与其他掺杂材料或方法进行广泛对比。其在平板X射线源中的应用尚需进一步探究。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018.7.9-2018.7.13)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 在ITO玻璃衬底上制备的掺铟氧化锌纳米线的场发射特性
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DOI：10.1109/IVNC.2018.8520049
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
掺杂是改善半导体纳米线场发射性能的重要方法。通过热氧化法在ITO玻璃衬底上制备了铟掺杂氧化锌纳米线，并测量了其场发射性能。所制备的铟掺杂纳米线阵列展现出优异的场发射特性，开启电场低至4.0 V/μm，电流波动约1.4%。
作者：
Yangyang Zhao，Guofu Zhang，Runze Zhan，Juncong She，Shaozhi Deng，Ningsheng Xu，Jun Chen
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