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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 无汞紫外发光器件的开发

DOI：10.1109/IVNC.2018.8520065 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要： 我们研发了用于无汞窄带紫外光源的稀土掺杂磷光体。该窄带发射是稀土离子Gd3+轨道内电子跃迁的典型特征。采用分子束外延级超纯反应溅射技术生长了Al1-xGdxN外延薄膜，在318纳米处观测到Gd3+离子的窄带发光谱线。我们利用Al1-xGdxN薄膜制备了场发射器件并研究了其详细特性。此外，近期还成功开发出含Gd3+离子紫外磷光体的高亮度荧光灯。
作者： Takashi Kita
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

开发新型紫外光源以替代现有汞灯，重点利用稀土离子（特别是钆Gd）轨道内电子跃迁产生的窄带发射。

研究成果

该研究成功开发了用于无汞窄带紫外光源的稀土掺杂荧光粉，在318纳米处实现了来自Gd3+离子的窄带发光谱线。研究人员制备了采用Al1-xGdxN薄膜的场发射器件，并开发出含Gd3+离子紫外荧光粉的高亮度荧光灯，为推动该器件的实际应用提供了可持续的解决方案。

研究不足

在UVB（280-320纳米）和UVC（200-280纳米）波长区域，外量子效率极低。由带边附近热载流子分布限制的谱线宽度会导致发射带宽相对较宽，通常超过10纳米。

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