研究目的
研究了伽马辐照对CdS/CdTe光电二极管的影响，以评估其在高辐射环境中的应用潜力。
研究成果
CdS/CdTe光电二极管对高能伽马射线辐射具有足够的耐受性，其电流密度变化率受耗尽层宽度影响。
研究不足
该研究聚焦于伽马射线辐照效应，未涵盖其他类型辐射或环境条件。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日-2018年7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 用于抗辐射场效应阵列图像传感器的CdS/CdTe光电二极管γ射线辐照效应
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DOI：10.1109/IVNC.2018.8520196
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
为评估CdS/CdTe光电二极管在耐辐射场发射阵列（FEA）图像传感器中的应用潜力，研究了γ射线辐照对其的影响。发现该光电二极管对超过2 MGy的高剂量γ射线具有足够耐受性。此外还探究了γ射线辐照下CdS/CdTe光电二极管的I-V特性：当CdTe厚度为6.5微米时，电流密度变化率随反向偏压增大而升高；而2.2微米厚度情况下，电流密度变化率基本不受反向偏压影响。这些结果表明耗尽层宽度的增加会影响电流密度变化率。
作者：
Tamotsu Okamoto，Tomoya Igari，Takahiro Fukui，Yasuhito Gotoh，Nobuhiro Sato，Masafumi Akiyoshi，Ikuji Takagi
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