研究目的
研究全耗尽型n型绝缘体上硅（SOI）纳米线晶体管中的低频噪声（LFN），以理解其噪声特性以及对器件尺寸和工作条件的依赖关系。
研究成果
调查发现，SOI纳米线晶体管中的低频噪声受器件尺寸和操作条件影响，其中闪烁噪声在较低频率下占主导地位，而产生-复合噪声在较高频率下更为显著。该研究揭示了噪声机制及其对器件几何结构和偏置条件的依赖性，为优化器件性能提供了方向指引。
研究不足
该研究仅限于长沟道器件，未探讨极短沟道长度对低频噪声的影响。此外，分析仅针对低漏极偏压下的线性区工作状态。
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[IEEE 2018年第33届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西本图贡萨尔维斯(2018.8.27-2018.8.31)] 2018年第33届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 长沟道全耗尽反型模式n型SOI纳米线中的低频噪声研究
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DOI：10.1109/SBMicro.2018.8511548
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本工作研究了全耗尽型n型绝缘体上硅（SOI）纳米线晶体管在线性区（VDS=50mV）工作时的低频噪声（LFN）特性。评估了1μm和10μm的长沟道器件，在LFN分析中考虑了15nm至105nm的宽范围鳍宽。结果显示：闪烁噪声（1/fγ）行为与栅压相关，且当频率低于500Hz时，归一化噪声SID/IDS随过驱动电压增加而降低；高于该频率时，具有1/f2衰减的复合噪声与闪烁噪声叠加并成为主要噪声源。截止频率随栅压过驱动增加而升高，同时γ指数下降——对于1μm和10μm沟道长度器件，γ值分别从1.3降至0.9和从0.95降至0.65。相比10μm沟道器件，1μm长器件在栅压过驱动增加时表现出约一个数量级的显著噪声变化。由于纳米线变窄导致迁移率降低，这些器件对鳍宽的噪声依赖性较弱。
作者：
Allan Roberto Moltoa，Bruna Cardoso Paza，Mika?l Casséb，Sylvain Barraudb，Gilles Reimboldb，Maud Vinetb，Olivier Faynotb，Marcelo Antonio Pavanelloa
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