研究目的
提高化合物半导体中的掺杂水平以实现所需的光电特性。
研究成果
所提出的方法将掺杂水平的上限扩展到更广范围，为制造各种应用中潜在的半导体器件提供了材料。
研究不足
不同系统应选择不同的Tg值，且需要化合物的均匀范围以最大化掺杂水平。某些材料系统的均匀范围可能发生大幅偏移，以至于完全超出化学计量组成，这使得寻找能最大化掺杂水平的温度Tg变得复杂。
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化合物半导体晶体生长过程中掺杂剂溶解度的提高
DOI：10.1016/j.mssp.2018.10.036
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
半导体掺杂是在半导体加工过程中，通过有意向材料中引入杂质来调整和优化其电学性能的工艺。掺杂水平存在一定上限，该上限通常对应于加工条件下掺杂剂在主体材料中的溶解度。有时，最大溶解度水平仍不足以提供所需的光电特性，此时需要更高的掺杂水平。因此，提高掺杂水平是半导体工业中的关键问题之一，尤其是对于由二元、三元及多元化合物等先进材料制成的器件。本报告设计了一种加工方法——仅需在熔体生长过程中改变一个加工参数，就能使化合物半导体的掺杂水平远超常规加工工艺所能获得的最大值，并在掺氯PbTe的熔体生长中验证了该方法。
作者：
Ching-Hua Su
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