研究目的
研究四端MoS2纳米带中的电子传输特性，以理解边缘态和沟道几何形状对传输特性的影响。
研究成果
研究表明，直通道二硫化钼纳米带的电导谱中绝缘带与其带隙相关，而弯曲通道绝缘带区域中的有限传输则源于边缘态。这些发现对于操控二硫化钼纳米带中的电子传输具有重要意义，有望应用于纳米电子学和光电子学领域。
研究不足
该研究未考虑自旋轨道耦合（SOC）效应，该效应可能影响价带分裂但对导带影响可忽略不计。此外，该研究为理论性研究，实际应用中制造如此精确的纳米带结构可能面临挑战。
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四端MoS2纳米带电子输运特性的第一性原理研究
DOI：10.1016/j.physb.2018.11.005
期刊：Physica B: Condensed Matter
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
我们对四端MoS2纳米带的电子输运进行了第一性原理研究。研究发现，在这类结构中，具有直线通道的纳米带其线性电导谱中存在绝缘带，这些绝缘带与MoS2纳米带的带隙相关。然而，在具有弯曲通道的几何结构中，非零输运允许在绝缘带区域发生。该现象可归因于弯曲通道结构中边缘态的形成。我们认为这些结果为调控MoS2纳米带的电子输运提供了有用信息。
作者：
Yang Yang，Xiao Han，Yu Han，Wei-Jiang Gong
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