研究目的
研究基于HfO2的阻变存储器在不同电阻状态下的反射系数，以理解其开关机制并拓展其在射频及潜在微波开关领域的应用。
研究成果
研究表明，将RRAM器件切换至不同电阻状态可改变其反射系数，低电阻状态下反射率更高。这种特性源于低电阻状态下导电细丝的金属特性。缩小器件尺寸有望实现微波波段的反射调控，为可调谐波导应用提供了潜在可能。
研究不足
该研究仅限于观察低射频区域的反射系数。要在微波频率区域实现反射，需要将器件尺寸缩小至纳米级，但这一点尚未得到充分探索。
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基于HfO?的RRAM在不同电阻状态下的反射系数
DOI：10.1063/1.5034118
期刊：Applied Physics Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本研究考察了基于Ru/HfO2/Zr/W堆叠结构的稳定开关阻变随机存储器器件中多个阻态的阻抗谱。通过这些观测数据，提取了不同阻态对应的反射系数。研究发现不同阻态的反射系数存在明显变化：低阻态器件的反射系数显著高于高阻态。随着器件状态逐步向低阻值重构，其反射系数呈现递增趋势。反射最大频率随器件面积减小而升高。该现象的物理机制可归因于界面层、导电细丝与HfO2薄膜之间氧离子输运的相互作用。
作者：
T. H. Nguyen，A. Barua，T. Bailey，A. Rush，P. Kosel，K. Leedy，R. Jha
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