研究目的
研究衬底温度对等离子体增强反应热蒸发法制备的氧化铟薄膜电学及光电性能的影响。
研究成果
研究表明，在沉积过程中提高衬底温度能显著增强氧化铟薄膜的导电性，并影响其光电导弛豫时间。这些变化归因于薄膜晶粒结构和表面环境的改变。该发现为需要透明导电层的电子器件提供了潜在应用前景。
研究不足
本研究仅限于分析采用特定方法（等离子体增强反应热蒸发法）制备的氧化铟薄膜，未与其他方法制备的薄膜进行对比。其中一样品的阻抗极坐标图中存在测量设备最大频率无法记录的峰值。
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等离子体增强反应热蒸发法制备的氧化铟薄膜的电学特性
DOI：10.1134/S1063782618120114
期刊：Semiconductors
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
研究了在不同基底温度下通过等离子体增强反应热蒸发法制备的透明氧化铟薄膜的结构与电学性能。发现这些薄膜具有晶粒结构。基底温度升高会显著提高薄膜的电导率并缩短光电导弛豫时间。本文提出了对基底温度影响所研究氧化铟薄膜电学及光电性能变化机理的解释。
作者：
A. S. Ilin，A. N. Matsukatova，P. A. Forsh，Yu. Vygranenko
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