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Ge9As9Se82和Ge16As24Se60薄膜对电子束辐照的敏感性评估

DOI：10.1016/j.jnoncrysol.2018.10.042 期刊：Journal of Non-Crystalline Solids 出版年份：2019 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 研究了Ge9As9Se82和Ge16As24Se60非晶硫系化合物薄膜与电子束的相互作用。测定了两种薄膜成分的表面浮雕形成动力学。研究发现，在相同电子束辐照参数下，浮雕形成动力学与电荷积累速率、薄膜内部最终电荷值以及电荷从电子作用区域的扩散相关。采用电荷模型解释了电子束与所研究体系相互作用过程中的各种现象，并确定了该模型的参数?；菇樯芰怂芯刻逑翟诘ゲ降缱邮饪讨械挠τ谩?
作者： O. Shylenko，V. Bilanych，A. Feher，V. Rizak，V. Komanicky
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究并比较两种电导率差异显著的Ge-As-Se薄膜中电子束诱导效应，并分析其直接电子束光刻的潜在应用。

研究成果

研究了电子束辐照下硫系化合物薄膜Ge9As9Se82和Ge16As24Se60中表面浮雕形成的动力学过程。结果表明，在电导率较低的薄膜（Ge16As24Se60）中，空间电荷区（SCR）形成更快，且表面浮雕交叉起始时间和电荷弛豫时间更短。针对这两种薄膜确定了电子诱导过程的电荷模型多个参数。利用点辐照区域的邻近效应测定了表面电势。

研究不足

该研究仅限于两种特定成分的Ge-As-Se薄膜及其在特定条件下与电子束的相互作用。研究结果可能无法直接适用于其他硫系化合物薄膜或不同的辐照参数。

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