研究目的
表征ALD沉积的AZO透明导电氧化物薄膜经10纳米TiO2覆盖层?；ず蟮幕в氲缁榷ㄐ裕⒀橹て湓诘缁纸庥τ弥械氖褂眯Ч?。
研究成果
添加10纳米TiO2保护层显著提升了原子层沉积法制备的AZO薄膜的化学与电化学稳定性，使其适用于包括水分解在内的多种电化学环境。该策略拓展了利用原子层沉积技术在复杂三维基底上制备共形、化学稳定的透明导电氧化物的可能性。
研究不足
分层AZO/TiO2透明导电氧化物失效的原因是超薄TiO2层中的针孔或其他缺陷导致AZO层溶解。增加TiO2层厚度可能提高稳定性，但也可能增加电阻率。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用原子层沉积（ALD）技术制备AZO和TiO?薄膜，通过紫外-可见透射光谱、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）及电阻率测量表征这些薄膜的化学与电化学稳定性。
2：样本选择与数据来源：
样品制备于n?-Si晶圆、带热氧化层的p-Si晶圆及玻璃载玻片上。
3：实验设备与材料清单：
设备包括FEI Nova Nanolab扫描电镜、PHI Versaprobe XPS仪、Rigaku Mini-Flex II X射线衍射仪、Veeco四探针电阻率计及Jasco V-780分光光度计；材料包含二乙基锌、三甲基铝、H?O及四(二甲氨基)钛。
4：实验流程与操作步骤：
ALD薄膜沉积于清洁基底表面，通过将样品浸入酸碱溶液并定时测量紫外-可见透射率评估化学稳定性，电化学稳定性则通过循环伏安法与恒电流计时电位法测定。
5：数据分析方法：
数据分析包括对比紫外-可见光谱随时间变化以评估溶解速率、测量方块电阻及分析电化学性能。
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