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[2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）——实施IEC 61967-4传导电磁发射测量用认证150Ω电压探头

DOI：10.1109/CPEM.2018.8501234 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 提出了一种完全符合IEC标准61967-4的150Ω探头，用于集成电路级的传导发射测试。本文回顾了150Ω直接耦合方法，讨论了精确测量的关键问题及易用性特点。该150Ω网络采用集成无源器件(IPD)工艺而非表面贴装器件(SMD)实现。通过降低寄生效应，所提出的150Ω探头被验证符合IEC标准规范，从而确保集成电路级EMI特性测试具有高精度和高重复性。
作者： Yin-Cheng Chang，Ta-Yeh Lin，Ping-Yi Wang，Shawn S. H. Hsu，Mao-Hsu Yen，Chun-Yi Hung，Da-Chiang Chang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一种符合IEC 61967-4标准的150Ω探头，用于集成电路级传导发射测试，通过采用集成无源器件(IPD)工艺而非表面贴装器件(SMD)来实现150Ω网络，从而解决精确测量和易用性问题。

研究成果

提出了一种用于集成电路传导电磁发射测量的150欧姆探头，该探头采用IPD技术实现，以避免高频下的寄生效应。该探头完全符合IEC 61967-4标准认证，能够在集成电路层面实现高精度、高重复性的电磁干扰特性测量。

研究不足

约12 MHz附近的3 dB下限带宽主要受100 pF电容支配，该电容值受限于IPD工艺中最大电容的约束条件。

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