研究目的
展示一种稳定且可调的方法，用于改变碳化硅衬底上外延生长石墨烯的载流子浓度，以实现量子电阻计量。
研究成果
该研究展示了一种新型化学掺杂石墨烯的方案，具有高效、可调且稳定的特性，其性能可与标准砷化镓器件相媲美。这一进展有望带来更可靠、更易用的石墨烯量子电阻标准。
研究不足
该研究指出，需要收集更多数据以充分探索这项技术的参数空间。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用受主分子化学掺杂来改变外延石墨烯的载流子浓度。将掺杂剂分散于聚合物混合物中，通过旋涂法沉积在石墨烯上，并添加聚合物封装层以提高稳定性。可选择性制备静电顶栅进行微调。
2：样本选择与数据来源：
使用标准电子束光刻法制备的外延石墨烯器件。
3：实验设备与材料清单：
石墨烯器件、受主分子、聚合物混合物、旋涂仪、用于退火的加热板。
4：实验步骤与操作流程：
将掺杂剂混合物旋涂至石墨烯表面后进行封装，160?C退火调节载流子浓度，通过量子霍尔效应测量评估性能。
5：数据分析方法：
采用低温电流比较器将量子霍尔平台的电阻值与参考电阻进行对比。
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graphene
Used as the base material for quantum resistance standards due to its unique properties allowing for a robust quantum hall effect.
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acceptor molecule
Chemical dopant used to alter the carrier concentration of epitaxial graphene.
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polymer blend
Used as a matrix for the dopant and for encapsulation to improve long-term stability.
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spin coater
Used to deposit the dopant mixture on graphene.
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hotplate
Used for annealing to adjust the carrier concentration of doped graphene.
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cryogenic current comparator
Used to compare the resistance value of the quantum Hall plateau against a reference resistor.
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