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[2018年第三届IEEE全球光电子学会议(OGC) - 中国深圳 (2018.9.4-2018.9.7)] 2018年第三届IEEE全球光电子学会议(OGC) - 基于GST负载定向耦合器的非易失性光开关

DOI：10.1109/OGC.2018.8529888 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 我们展示了一种基于硅-锗锑碲（GST）混合波导定向耦合器的非易失性光开关。GST的非易失性特性使其在降低光开关静态功耗方面具有显著优势。实验结果表明，该光开关在1578纳米波长附近具有>20分贝的直通态消光比和>25分贝的交叉态消光比，其直通态与交叉态插入损耗分别为2分贝和7分贝。
作者： Hanyu Zhang，Linjie Zhou，Liangjun Lu，Jianping Chen，B. M. A. Rahman
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

展示了一种基于包含硅-锗锑碲（Ge2Sb2Te5，GST）混合波导的定向耦合器的非易失性光开关，以降低光开关中的静态功耗。

研究成果

基于硅-GST混合波导定向耦合器实现的非易失性光开关展现出优异性能，具有高消光比和低插入损耗。GST材料的非易失特性提供了自保持功能，无需静态功耗即可维持开关状态。未来研究可探索低损耗相变材料与绝热定向耦合器设计以提升性能。

研究不足

交叉状态下的插入损耗主要由GST材料损耗引起。通过采用GeSe和Ge2Sb2Se4Te1等低损耗相变材料可改善性能。此外，设计绝热定向耦合器能够提升定向耦合器的带宽。

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