研究目的
回顾PT对称性在光子器件中的芯片级应用，包括单向无反射PT超材料的实现、相干非对称光-光开关以及片上轨道角动量（OAM）激光器。
研究成果
该研究通过利用非厄米系统中接近异常点（EP）的光学势调制所诱导的非对称波特性，展示了片上光子器件的新颖功能。这些发现为未来集成光子学研究提供了额外的自由度。
研究不足
该研究的局限性在于纳米光子器件的制造精度以及在实际应用中操控非厄米系统的复杂性。
1：实验设计与方法选择：
本研究利用非厄米PT系统的光学类比，通过调控复折射率特性，探究异常点（EP）附近的波传输特性。
2：样本选择与数据来源：
采用绝缘体上硅（SOI）平台上的硅基光学非厄米PT系统。
3：实验设备与材料清单：
包括硅波导、Ge/Cr双层结构以及InP衬底上的InGaAsP多量子阱。
4：实验步骤与操作流程：
制备过程涉及电子束套刻、材料蒸发与剥离，随后进行干法刻蚀。
5：数据分析方法：
运用散射矩阵（S矩阵）和传输矩阵分析研究波特性。
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silicon waveguide
Used as the base structure for implementing PT-symmetric photonic devices.
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Ge/Cr bilayer
Used for modulating the complex refractive index in the photonic devices.
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InGaAsP multiple quantum wells
Used in the micro-ring laser resonator for generating OAM laser emission.
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electron beam lithography system
Used for fabricating the nanophotonic devices.
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