研究目的
研究β-Ga2O3肖特基接触的研发现状，重点关注所用材料与结构及其对应的电学特性。
研究成果
β-Ga2O3上的肖特基接触在高功率、高效率电子和光电器件领域展现出应用前景。该研究强调了材料质量、晶体取向及加工条件对肖特基接触电学性能的决定性作用。未来研究应聚焦于缺陷效应的机理探究与加工条件的优化，以提升器件性能。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的加工条件、晶体取向和生长方法多种多样，导致难以进行直接比较。此外，特定缺陷对电学性能的影响尚未完全明确。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用多种金属及工艺条件制备并表征β-Ga?O?肖特基接触。
2：样品选择与数据来源：
使用具有不同晶向和掺杂浓度的β-Ga?O?块体单晶衬底及外延层。
3：实验设备与材料清单：
用于肖特基接触的金属包括Au、Cu、Ir、Ni、Pd、Pt、TiN和PtOx，设备包含电子束蒸发与溅射沉积系统。
4：实验流程与操作步骤：
工艺流程包含衬底制备、金属沉积、图形化及电学表征。
5：数据分析方法：
通过I-V、C-V和IPE测量分析电学特性，以确定肖特基势垒高度与理想因子。
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β-Ga2O3
Used as a wide-bandgap semiconductor for electronic and optoelectronic devices.
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Au
Used as a Schottky contact material.
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Ni
Used as a Schottky contact material.
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Pt
Used as a Schottky contact material.
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TiN
Used as a Schottky contact material.
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PtOx
Used as a Schottky contact material.
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