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单层MoS2介电函数的温度依赖性

DOI：10.1016/j.cap.2018.10.007 期刊：Current Applied Physics 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 我们给出了单层二硫化钼（MoS2）介电函数ε = ε1 + iε2在1.4至6.0电子伏特能量范围和35至350开尔文温度范围内的解析表达式。该介电函数参数化模型通过多项式之和来表示ε，自然包含了临界点线型的不对称性。通过拟合模型参数实现温度依赖性，从而可计算任意温度下MoS2的介电函数。我们观测到位于布里渊区K点的基本吸收峰。这些结果有望为基于单层MoS2的应用器件技术设计与理解提供帮助。
作者： V.L. Le，T.J. Kim，H.G. Park，H.T. Nguyen，X.A. Nguyen，Y.D. Kim
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研究目的

为呈现单层二硫化钼（MoS2）在1.4至6.0电子伏特能量范围及35至350开尔文温度条件下的介电函数解析表达式，并观测布里渊区K点处的基本吸收峰。

研究成果

介电函数参数化模型成功表征了单层二硫化钼的介电函数，涵盖包括三重态A峰、两个激子A0和B特征峰在内的十种结构，以及1.4至6.0电子伏特范围内35至350开尔文温度下的其他激子和带间临界点。这些结果有望为基础研究和包括薄膜生长及基于单层二硫化钼的二维纳米光电器件设计在内的技术应用提供帮助。

研究不足

该研究仅限于单层MoS2在x-y平面内的光学特性，未考虑其沿z轴的各向异性。数据与重建线型之间最大的差异出现在2至3电子伏特附近——该区域存在诸多尖锐结构，但差异幅度小于3.6%。

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