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产品选型就用光电查

具有掺杂剂隔离NiGe源/漏极的锗互补隧穿场效应晶体管

DOI：10.1088/0256-307X/35/11/117201 期刊：Chinese Physics Letters 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36

摘要： 采用NiGe金属源漏（S/D）结构制备了锗互补隧穿场效应晶体管（TFETs）。通过掺杂分离法形成具有足够高肖特基势垒高度的NiGe/Ge隧穿结。由此，锗p型和n型TFETs展现出优异的电学特性：大导通电流与陡峭亚阈值摆幅（S因子）。特别地，在7K温度下，当栅压减阈值电压（Vg-Vth）与漏压（Vd）为±0.5V时，锗p型TFETs的Id达到0.2μA/μm，其S因子为28mV/dec。

关键词： 导通电流镍锗金属源/漏极锗互补隧穿场效应晶体管亚阈值斜率肖特基势垒高度掺杂分离

作者： Junkang Li，Yiming Qu，Siyu Zeng，Ran Cheng，Rui Zhang，Yi Zhao

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研究概述实验方案设备清单

研究目的

研究掺杂分离的NiGe金属源/漏结构在实现具有优异电学特性的锗互补隧穿场效应晶体管中的可行性，以应用于未来低功耗CMOS技术。

研究成果

采用掺杂分离镍锗金属源漏结构的锗互补型隧穿场效应晶体管（TFETs）展现出优异的导通态电流与陡峭亚阈值斜率，其中锗p型TFETs在7K温度下实现了28 mV/dec的创纪录S因子。这些成果凸显了掺杂分离镍锗源漏结构在实现低功耗逻辑应用高性能锗TFETs方面的潜力。

研究不足

该研究指出，锗n型隧穿场效应晶体管（Ge nTFETs）的性能较p型隧穿场效应晶体管（pTFETs）逊色，表明MOS界面钝化可能是关键问题。此外，开态电流在低温下受到抑制，说明实现小亚阈值摆幅（??因子）与维持高开态电流之间存在权衡。

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